SiC需求爆發(fā)！賽道正式開啟，國內(nèi)企業(yè)迅速就位碳化硅功率器件彌補了硅基功率器件無法觸及的高度，提升了功率器件的性能和應(yīng)用場景。目前，碳化硅功率器件在電動汽車領(lǐng)域與光伏發(fā)電領(lǐng)域的應(yīng)用較為普遍，碳化硅功率器件提升了電動汽車的續(xù)航里程，縮短了充電時間，同時提高了光伏發(fā)電的轉(zhuǎn)換效率。在國家倡導(dǎo)使用清潔能源的政策背景下，碳化硅在國內(nèi)市場有著廣闊的發(fā)展空間和需求。 基本半導(dǎo)體團隊，有著國內(nèi)外多位知名高校和研究機構(gòu)的博士帶隊，該企業(yè)的業(yè)務(wù)主要是面向碳化硅功率器件材料的生產(chǎn)、產(chǎn)品的設(shè)計、制造以及封測?；景雽?dǎo)體采用IDM的垂直產(chǎn)業(yè)模式，加快企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域站穩(wěn)腳步。  圖源：基本半導(dǎo)體 在碳化硅二極管方面，基本半導(dǎo)體基于自身在碳化硅外延層的優(yōu)勢，開發(fā)了B1D10K02Q。B1D10K02Q是一款碳化硅PiN二極管，這款二極管的能承受10kV的反向電壓，阻斷電壓為14kV，與傳統(tǒng)的二極管相比，這款芯片的開關(guān)頻率更快。在高壓系統(tǒng)中應(yīng)用能夠降低元器件的使用數(shù)量，降低電路的設(shè)計難度，提高系統(tǒng)的可靠性。B1D10K02Q采用的是4英寸的晶圓產(chǎn)線，產(chǎn)品良率可達到90%以上。 為順應(yīng)市場的需求，基本半導(dǎo)體還推出了，采用SMBF封裝小尺寸的碳化硅肖特基二極管B2D04065V，面積僅為19平方毫米，主要應(yīng)用于快充電源適配器中。B2D04065V的電壓等級為650V，正向?qū)妷簽?.35V，為降低碳化硅肖特基二極管的浪涌電壓和高溫工作狀態(tài)的系統(tǒng)損耗問題，采用了襯底減薄工藝。同時該工藝的加入，在晶圓生產(chǎn)過程中還可以減少傳片時晶圓發(fā)生缺口或裂縫等情況，從而提升晶圓制造的良率。  基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET，大多集中在1200V的電壓等級，額定電流在20A至114A之間。基本半導(dǎo)體1200V的碳化硅MOSFET具有較高的可靠性，主要體現(xiàn)在高柵氧壽命、穩(wěn)定的高擊穿電壓、短路耐受等方面?；景雽?dǎo)體1200V的碳化硅MOSFET的擊穿場強為10MV/cm，據(jù)官方表示，在負關(guān)斷電壓為20V的應(yīng)用中，柵氧壽命在200年以上。同時，1200V碳化硅MOSFET的實際最高耐壓值為1528V，即使在實際應(yīng)用中出現(xiàn)尖峰電流，對系統(tǒng)的影響也不大。在產(chǎn)品設(shè)計時，基本半導(dǎo)體對1200V碳化硅MOSFET進行了優(yōu)化，將產(chǎn)品短路的耐受時間提升至6μs，進一步保護了系統(tǒng)的安全性。 來源：電子發(fā)燒友網(wǎng)?作者：李誠 |
